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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB7NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R1K0M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：5.7V@1.1mA
栅极电荷：5nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@1000V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1000mΩ@1A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
