品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:69.4W
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
输入电容:9400pF@20V
栅极电荷:182nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:69.4W
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
输入电容:9400pF@20V
栅极电荷:182nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: