品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.29mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S204ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@18µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S2H4ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:148nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":14886,"18+":1364,"21+":634,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S204ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI04033
工作温度:150℃
功率:116W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:63.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3910pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@58.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":417681,"24+":19638}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M3R3-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:101W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3766pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":647}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4690pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3440pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M3R3-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:101W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3037pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":12000,"18+":200,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S3H4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@65µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":14886,"18+":1364,"21+":634,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S204ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S403ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5260pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.29mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S204ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN3R704PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:630mW€86W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":563}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S403ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5260pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD134N4F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: