采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80N06A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
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规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：31nC@10V
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
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类型：N沟道
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功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
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类型：N沟道
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功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
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类型：N沟道
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功率：68W
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栅极电荷：31nC@10V
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规格型号(MPN)：FDB6670AL
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功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
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输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
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输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MCU80N06A-TP
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8mΩ@30A，10V
输入电容：1990pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：68W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：10+
规格型号(MPN)：FDB6670AL
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2440pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：33nC@5V
功率：68W
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
阈值电压：3V@250µA
工作温度：-65℃~175℃
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：10+
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连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2440pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：33nC@5V
功率：68W
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
阈值电压：3V@250µA
工作温度：-65℃~175℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80N06A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80N06A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
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规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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