采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：10106，"21+"：8405，"22+"：26339，"24+"：30000，"MI+"：2932}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM5H16TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.9nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM5H16TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.9nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
