品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF60R217
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.6W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3540pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2369}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6412ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.6W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3540pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y13-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1311pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.6W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3540pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.6W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3540pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.6W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3540pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF60R217
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€31.2W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@15V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: