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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND01K1-G
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功率：360mW
ECCN：EAR99
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输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：LND01K1-G
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功率：360mW
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输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：250mW
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栅极电荷：0.6nC@4.5V
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连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
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功率：250mW
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栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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功率：250mW
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
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功率：250mW
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连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
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连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
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输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
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功率：250mW
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栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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