采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4C12NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2050
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：989，"10+"：5159，"11+"：35000，"12+"：25000，"13+"：2490，"14+"：1996，"15+"：82606，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV16XNR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：20.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV16XNR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：20.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：61W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
