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    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    功率: 500W
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8095pF@25V

    连续漏极电流:500A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.94mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ136ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ136ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8015pF@25V

    连续漏极电流:350A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.12mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF135SA204 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF135SA204 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF135SA204

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:315nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11690pF@50V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@96A,10V

    漏源电压:135V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0630N150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6636pF@25V

    连续漏极电流:350A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG015N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG015N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG015N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4.3V@25mA

    栅极电荷:283nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4689pF@325V

    连续漏极电流:145A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@75A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订116个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订116个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86210-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8095pF@25V

    连续漏极电流:500A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.94mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66518 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66518 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTL66518

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@75V

    连续漏极电流:214A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138ELP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138ELP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ138ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6685pF@25V

    连续漏极电流:315A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF135SA204 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF135SA204 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":817,"23+":28000}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF135SA204

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:315nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11690pF@50V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@96A,10V

    漏源电压:135V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ128ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7315pF@25V

    连续漏极电流:437A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ110EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ110EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ110EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6636pF@25V

    连续漏极电流:350A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG015N065SC1 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG015N065SC1 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG015N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4.3V@25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:283nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4689pF@325V

    连续漏极电流:145A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@75A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86210-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8095pF@25V

    连续漏极电流:500A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.94mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0630N150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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