品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":130000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR8256TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:63W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@13V
连续漏极电流:81A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2451,"21+":909,"22+":2338,"23+":65354,"MI+":4847}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S309ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:63W
阈值电压:4V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R225C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:996pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR6225TRPBF
工作温度:-50℃~150℃
功率:63W
阈值电压:1.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@21A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR6225TRPBF
工作温度:-50℃~150℃
功率:63W
阈值电压:1.1V@50µA
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@21A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC90N04S53R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:63W
阈值电压:3.4V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ084N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.8V@31µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R600E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR6225TRPBF
工作温度:-50℃~150℃
功率:63W
阈值电压:1.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@21A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ084N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.8V@31µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR6225TRPBF
工作温度:-50℃~150℃
功率:63W
阈值电压:1.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@21A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: