采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2432pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14136}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB29N08T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，11V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14136}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB29N08T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，11V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2432pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2432pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S06K3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：88W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
