品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8180pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L05ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.2V@60µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8180pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10,"21+":1894}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S4L05ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8180pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5000,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHD97NQ03LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@12V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":58000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1965,"24+":2380,"MI+":1510}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD033N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: