采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60X，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@9.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W5，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.6mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W5，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.6mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30025}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB110N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2560pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W5，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.6mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2604，"22+"：4050，"23+"：537}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.6mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2604，"22+"：4050，"23+"：537}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK28V65W5，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.6mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：27.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@13.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB110N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2560pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30025}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB110N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2560pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60W，LVQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.7V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@15.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB110N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2560pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60W，LVQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.7V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@15.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@15.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@15.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：4.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@15.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB110N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@3mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2560pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
