采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7440TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@100µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7440TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@100µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3080pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7440TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@100µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7440TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@100µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTH35N65G2V-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R250E6XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：16.1A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
