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    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    功率: 255W
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订73个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订73个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB060AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@25V

    连续漏极电流:16A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB060AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@25V

    连续漏极电流:16A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB060AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@25V

    连续漏极电流:16A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订73个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订73个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R4-30,118 起订547个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R4-30,118 起订547个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":7200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK763R4-30,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4951pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB060AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@25V

    连续漏极电流:16A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB060AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB060AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@25V

    连续漏极电流:16A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099CPAATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R4-30,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R4-30,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":7200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK763R4-30,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4951pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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