品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB060AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@25V
连续漏极电流:16A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB060AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@25V
连续漏极电流:16A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB060AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@25V
连续漏极电流:16A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":7200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK763R4-30,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4951pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB060AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@25V
连续漏极电流:16A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB060AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@25V
连续漏极电流:16A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":7200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK763R4-30,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4951pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: