品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1P04PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@29A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: