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    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    阈值电压: 1.6V@250µA
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA470EEJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:2.25A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":7495,"9999":192}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17306Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@22A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LK3-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LK3-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.71W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17306Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@22A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17305Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA470EEJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:2.25A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17306Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@22A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1470AEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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