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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
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阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
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阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
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栅极电荷：34nC@10V
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连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
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生产批次：{"10+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：18000}
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规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
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连续漏极电流：45A
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栅极电荷：34nC@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
栅极电荷：34nC@10V
功率：700mW€42W
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漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@500µA
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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