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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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