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    漏源电压
    30V
    栅极电荷
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 11nC@10V
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订6113个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订6113个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":42000,"21+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订100个装
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订100个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订10个装
    Central Mosfet场效应管 CXDM3069N TR PBFREE 起订10个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":25000,"17+":4980,"19+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS020N03CTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS020N03CTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS020N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS020N03CTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS020N03CTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS020N03CTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@8A,10V

    功率:650mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:5.3A

    输入电容:620pF@15V

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:295pF@15V

    功率:400mW€8.33W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:5.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:294pF@15V

    功率:530mW€4.46W

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:5.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:294pF@15V

    功率:530mW€4.46W

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65ENEZ 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB65ENEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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