品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":42000,"21+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CXDM3069N TR PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":25000,"17+":4980,"19+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS020N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS020N03CTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@8A,10V
功率:650mW
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:5.3A
输入电容:620pF@15V
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:295pF@15V
功率:400mW€8.33W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:5.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:294pF@15V
功率:530mW€4.46W
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:5.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:294pF@15V
功率:530mW€4.46W
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: