采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
