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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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