品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1100pF@15V
栅极电荷:22nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
输入电容:1900pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
连续漏极电流:13A
导通电阻:6mΩ@13A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
栅极电荷:8.4nC@10V
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:615pF@20V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E160ADTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@16A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:16A
功率:2W
输入电容:2550pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1100pF@15V
栅极电荷:22nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05GZETB
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:16.8nC@5V
漏源电压:45V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:25mΩ@7A,10V
输入电容:1000pF@10V
功率:2W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1100pF@15V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
栅极电荷:8.4nC@10V
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:615pF@20V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:8A
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:660pF@15V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:410pF@15V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E160ADTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@16A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:16A
功率:2W
输入电容:2550pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E160ADTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@16A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:16A
功率:2W
输入电容:2550pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E095BNGZETB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:680pF@15V
导通电阻:14.6mΩ@9.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:9.5A
功率:2W
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:410pF@15V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH065N06TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05GZETB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH065N06TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: