品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:64A
栅极电荷:81nC@10V
输入电容:1970pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
功率:230W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:64A
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
类型:N沟道
输入电容:1950pF@100V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90220E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:21.6mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: