销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

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输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：23nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1110pF@100V

连续漏极电流：18.6A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1450pF@100V

连续漏极电流：20.2A

类型：N沟道

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STL16N60M2

工作温度：150℃

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：19nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：704pF@100V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：355mΩ@4A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

类型：N沟道

输入电容：1450pF@100V

栅极电荷：28nC@7.5V

连续漏极电流：20.2A

功率：52W

阈值电压：4V@250µA

导通电阻：50.5mΩ@10A，10V

ECCN：EAR99

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1