采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7315pF@25V
连续漏极电流：437A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6670pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：75000，"22+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：117781，"12+"：4500，"13+"：3000，"14+"：34260}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4943NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1401pF@15V
连续漏极电流：8.3A€41A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7528
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@15V
连续漏极电流：45A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6510
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€46W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：28A€32A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6560
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：325nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11500pF@15V
连续漏极电流：84A€200A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8113TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@15V
连续漏极电流：17.2A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@17.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3121}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA36DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：134039}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4929NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：6.6A€34A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
