品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:2000pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.5W€50W
连续漏极电流:35A
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:20mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.75W€300W
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:100V
输入电容:6290pF@50V
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
输入电容:920pF@50V
功率:40W
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:8.9A€49A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
功率:2.5W€6W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
输入电容:600pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流:3.4A
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:2000pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.5W€50W
连续漏极电流:35A
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:20mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH315N10F7-2
阈值电压:4.5V@250µA
导通电阻:2.3mΩ@60A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
功率:315W
类型:N沟道
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:180nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL40N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:5W€70W
输入电容:1270pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
导通电阻:24mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH150N10F7-2
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:8115pF@50V
包装方式:卷带(TR)
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:117nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB150N10
阈值电压:4.5V@250µA
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:57A
输入电容:4760pF@25V
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB120N10
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:170W
输入电容:5605pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:74A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.75W€300W
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:100V
输入电容:6290pF@50V
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB150N10
阈值电压:4.5V@250µA
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:57A
输入电容:4760pF@25V
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.75W€300W
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:100V
输入电容:6290pF@50V
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3860
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€69W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
栅极电荷:31nC@10V
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
输入电容:1740pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB120N10
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:170W
输入电容:5605pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:74A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":241}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB150N10
阈值电压:4.5V@250µA
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:57A
输入电容:4760pF@25V
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
功率:2.5W€6W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
输入电容:600pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:35mΩ@4A,10V
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流:3.4A
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1725
规格型号(MPN):STD100N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8mΩ@40A,10V
功率:120W
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
输入电容:4369pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3860
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€69W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
栅极电荷:31nC@10V
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
输入电容:1740pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:429W
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:9760pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N10F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:3100pF@50V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@40A,10V
功率:85W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH240N10F7-6
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:11550pF@25V
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:160nC@10V
功率:300W
漏源电压:100V
导通电阻:2.5mΩ@60A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N10F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:3100pF@50V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@40A,10V
功率:85W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:2000pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.5W€50W
连续漏极电流:35A
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:20mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流:3.4A
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: