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    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:2000pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.5W€50W

    连续漏极电流:35A

    栅极电荷:22nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.75W€300W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:6290pF@50V

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    输入电容:920pF@50V

    功率:40W

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:25A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    栅极电荷:75nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    功率:2.5W€6W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    输入电容:600pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3

    连续漏极电流:3.4A

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:2000pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.5W€50W

    连续漏极电流:35A

    栅极电荷:22nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH315N10F7-2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STH315N10F7-2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH315N10F7-2

    阈值电压:4.5V@250µA

    导通电阻:2.3mΩ@60A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12800pF@25V

    功率:315W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:180A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:180nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL40N10F7 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STL40N10F7 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL40N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:5W€70W

    输入电容:1270pF@50V

    类型:N沟道

    栅极电荷:19nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:40A

    导通电阻:24mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH150N10F7-2

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:8115pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:250W

    类型:N沟道

    栅极电荷:117nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:110A

    导通电阻:3.9mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB150N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:57A

    输入电容:4760pF@25V

    栅极电荷:69nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB120N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:170W

    输入电容:5605pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:74A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.75W€300W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:6290pF@50V

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB150N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:57A

    输入电容:4760pF@25V

    栅极电荷:69nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.75W€300W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:6290pF@50V

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3860

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€69W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.2A

    栅极电荷:31nC@10V

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    输入电容:1740pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB120N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:170W

    输入电容:5605pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:74A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订175个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订175个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":241}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB150N10

    阈值电压:4.5V@250µA

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:57A

    输入电容:4760pF@25V

    栅极电荷:69nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    功率:2.5W€6W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    输入电容:600pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL30N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL30N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL30N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    连续漏极电流:30A

    漏源电压:100V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3

    连续漏极电流:3.4A

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1725

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    功率:120W

    类型:N沟道

    栅极电荷:61nC@10V

    输入电容:4369pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3860

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€69W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.2A

    栅极电荷:31nC@10V

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    输入电容:1740pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:429W

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:9760pF@50V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N10F7AG

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:3100pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@40A,10V

    功率:85W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH240N10F7-6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STH240N10F7-6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH240N10F7-6

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    输入电容:11550pF@25V

    连续漏极电流:180A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:160nC@10V

    功率:300W

    漏源电压:100V

    导通电阻:2.5mΩ@60A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD85N10F7AG 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N10F7AG

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:3100pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@40A,10V

    功率:85W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL8N10F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10F7

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:2000pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3.5W€50W

    连续漏极电流:35A

    栅极电荷:22nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3

    连续漏极电流:3.4A

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
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