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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R4P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK90S06N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@10V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
