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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0805NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2.3V@40µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：13A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0805NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2.3V@40µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：13A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN028-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：89W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1634pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0805NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2.3V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：13A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0805NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2.3V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：13A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0805NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2.3V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：13A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110P10PL，RQ
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN028-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：89W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1634pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0805NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2.3V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：13A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
