品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT054N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@181µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:143A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1018ETRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8177}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4680,"24+":183}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT054N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@181µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:143A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC047N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@40V
连续漏极电流:18A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@34A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1834,"12+":5781}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK764R3-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4824pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:3.8V@91µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@37.5V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3334,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018ESTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC030N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€208W
阈值电压:3.3V@109µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:21A€179A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB054N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB054N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1018ETRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8177}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":241}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: