采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2706}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS005N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：17A€69A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2.2V@30µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：16A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS005N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：17A€69A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS005N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：17A€69A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2.2V@30µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：16A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC058N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€42W
阈值电压：3.4V@13µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@31A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS005N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：17A€69A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC058N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€42W
阈值电压：3.4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@31A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS005N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：17A€69A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：2.2V@30µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：16A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC058N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€42W
阈值电压：3.4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@31A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC058N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€42W
阈值电压：3.4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@31A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC058N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€42W
阈值电压：3.4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@31A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC058N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€42W
阈值电压：3.4V@13µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@31A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC058N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€42W
阈值电压：3.4V@13µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@31A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1949}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
