品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":490,"22+":27416,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7470TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3430pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2205
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":78,"19+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2205
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7842TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: