采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90N10-8M2P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH200N10WF7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90N10-8M2P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4100DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL110N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5117pF@50V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90N10-8M2P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL110N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5117pF@50V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH150N10F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
