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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83.3W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：65.8A
类型：N-Channel
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83.3W
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连续漏极电流：65.8A
类型：N-Channel
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：100V
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连续漏极电流：65.8A
类型：N-Channel
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漏源电压：100V
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连续漏极电流：65.8A
类型：N-Channel
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：100V
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漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：3.4V@250µA
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导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
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