品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:859pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:46.3A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€20A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
输入电容:100pF@25V
漏源电压:100V
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:46.3A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:274pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@50V
连续漏极电流:4.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:274pF@50V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:859pF@50V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:274pF@50V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@50V
连续漏极电流:4.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:859pF@50V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:274pF@50V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: