采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
功率：83W
输入电容：978pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0804LSATMA1
功率：83W
阈值电压：2.3V@36µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9.6mΩ@20A，10V
类型：N沟道
输入电容：2100pF@50V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：14.6nC@4.5V
漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
功率：83W
输入电容：978pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
功率：83W
输入电容：978pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@9.3A，10V
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：3342pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ402EP-T1_BE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
输入电容：2286pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：51nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：11mΩ@10.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：52mΩ@10A，10V
类型：N沟道
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：52mΩ@10A，10V
类型：N沟道
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_BE3
功率：83W
输入电容：978pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86182
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
栅极电荷：24nC@6V
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@9.3A，10V
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：3342pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_BE3
功率：83W
输入电容：978pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
输入电容：979pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ402EP-T1_BE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
输入电容：2286pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：51nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：11mΩ@10.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
功率：83W
输入电容：978pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
输入电容：979pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
功率：83W
输入电容：978pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：2008}
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@9.3A，10V
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：3342pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
阈值电压：4V@150µA
漏源电压：100V
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
