采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"14+"：4285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N-Channel
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
