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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB40UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:556pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCMN2014HE3-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCMN2014HE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1791pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,8V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:89
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@6V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM440VNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM440VNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1722

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM440VNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@6V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.73W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2588pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB40UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:556pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:600mV@250µA

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:106pF@10V

    连续漏极电流:1.41A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:27
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W
    TI Mosfet场效应管 CSD13306W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13306W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:11.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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