采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
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功率：201W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
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功率：201W
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
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类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
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功率：255W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
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阈值电压：4V@800µA
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栅极电荷：67nC@10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
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阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
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输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
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栅极电荷：76nC@10V
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
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栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
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功率：255W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
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ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
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功率：255W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-40℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
输入电容：4175pF@400V
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包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：76nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
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连续漏极电流：41A
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R065P7AUMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
类型：N沟道
漏源电压：600V
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：4V@800µA
连续漏极电流：41A
导通电阻：65mΩ@15.9A，10V
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