采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
阈值电压：3.5V@250µA
功率：125W
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1948pF@380V
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
栅极电荷：52nC@10V
功率：125W
漏源电压：600V
输入电容：1490pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
规格型号(MPN)：FCMT299N60
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
阈值电压：3.5V@250µA
功率：125W
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1948pF@380V
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009JND3TL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：7V@1.38mA
类型：N沟道
栅极电荷：22nC@15V
功率：125W
连续漏极电流：9A
漏源电压：600V
输入电容：645pF@100V
导通电阻：585mΩ@4.5A，15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009JND3TL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：7V@1.38mA
类型：N沟道
栅极电荷：22nC@15V
功率：125W
连续漏极电流：9A
漏源电压：600V
输入电容：645pF@100V
导通电阻：585mΩ@4.5A，15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
功率：125W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：31A
漏源电压：600V
类型：N沟道
输入电容：380pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
功率：125W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：31A
漏源电压：600V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
输入电容：380pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
栅极电荷：52nC@10V
功率：125W
漏源电压：600V
输入电容：1490pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24NM60N
连续漏极电流：17A
导通电阻：190mΩ@8A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@50V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD380A60C
输入电容：955pF@100V
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
功率：125W
栅极电荷：20nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD380A60C
输入电容：955pF@100V
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
功率：125W
栅极电荷：20nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009JND3TL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：7V@1.38mA
类型：N沟道
栅极电荷：22nC@15V
功率：125W
连续漏极电流：9A
漏源电压：600V
输入电容：645pF@100V
导通电阻：585mΩ@4.5A，15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGT60R070D1ATMA4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGO60R070D1AUMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1353}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGO60R070D1AUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009JND3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：7V@1.38mA
栅极电荷：22nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@4.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
