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    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 46A
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:90+
    商品信息
    参数
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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":10000,"24+":2160}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5L120ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1589pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:702
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9624-55A,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9624-55A,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9624-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:105W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9629-100B,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9629-100B,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":110,"22+":3500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9629-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:157W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4360pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:506
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5865NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订7500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订7500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€72W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5865NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€72W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5L120ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1589pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5L120ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1589pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€72W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
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