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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
