采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
导通电阻：115mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：223W
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
导通电阻：110mΩ@14A，10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：210W
输入电容：2400pF@100V
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
