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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R950CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
