采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7214-75B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2612pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2432pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3030AW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：5.6V@13.3mA
栅极电荷：104nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1526pF@500V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2599，"22+"：1454，"23+"：1866，"MI+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@30µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3264pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1730，"21+"：1609，"22+"：540，"23+"：5064，"MI+"：1299}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M6R3-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1912pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1489}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M7R2-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2567pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R6-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2001pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R6-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2001pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
