采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5826NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5826NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5826NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD600N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.8V@180µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
