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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4170，"09+"：9000，"10+"：2523，"11+"：28490，"14+"：4450，"15+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4846NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@12V
连续漏极电流：12.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4946NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@12V
连续漏极电流：12.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4170，"09+"：9000，"10+"：2523，"11+"：28490，"14+"：4450，"15+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4846NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@12V
连续漏极电流：12.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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规格型号(MPN)：NTMFS4846NT1G
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功率：890mW€55.5W
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栅极电荷：53nC@11.5V
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输入电容：3250pF@12V
连续漏极电流：12.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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功率：890mW€55.5W
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栅极电荷：53nC@11.5V
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输入电容：3250pF@12V
连续漏极电流：12.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTMFS4846NT1G
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输入电容：3250pF@12V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：53nC@11.5V
连续漏极电流：12.7A€100A
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
功率：890mW€55.5W
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@12V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
栅极电荷：53nC@11.5V
连续漏极电流：12.7A€100A
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
功率：890mW€55.5W
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工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@12V
连续漏极电流：12.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：890mW€55.5W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：53nC@11.5V
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输入电容：3250pF@12V
连续漏极电流：12.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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