采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：10nC@10V
功率：500mW
输入电容：400pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：10nC@10V
功率：500mW
输入电容：400pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
输入电容：195pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
功率：500mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
输入电容：195pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
功率：500mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：310pF@10V
栅极电荷：5nC@4.5V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：310pF@10V
栅极电荷：5nC@4.5V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7708}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
