品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:1.6A
输入电容:315pF@40V
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.7V@50µA
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:7.3nC@10V
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:5nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:700mW
导通电阻:85mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ
输入电容:75pF@18V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L020SNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
输入电容:180pF@10V
栅极电荷:2.7nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:170mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L030SNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:5nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:700mW
导通电阻:85mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:5nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:700mW
导通电阻:85mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L020SNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
输入电容:180pF@10V
栅极电荷:2.7nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:170mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR020N06HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
输入电容:180pF@10V
栅极电荷:2.7nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:170mΩ@2A,10V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:1.6A
输入电容:315pF@40V
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.7V@50µA
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:7.3nC@10V
输入电容:375pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:5nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:700mW
导通电阻:85mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ
输入电容:75pF@18V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ
输入电容:75pF@18V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:1.6A
输入电容:315pF@40V
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:1.6A
输入电容:315pF@40V
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:1.6A
输入电容:315pF@40V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:5nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:700mW
导通电阻:85mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:1.6A
输入电容:315pF@40V
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.7V@50µA
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:7.3nC@10V
输入电容:375pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L020SNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
输入电容:180pF@10V
栅极电荷:2.7nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:170mΩ@2A,10V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR020N06HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: