品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21549,"23+":18194}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6366E
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5362}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R365P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:46W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: